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2.Te取代CuS1-xTex纳米片的表征随着Te含量的增加，调整的蓄CuS1-xTex纳米片会逐渐收缩并紧密组装，单个纳米片的平面内尺寸会逐渐减小。CuS1-xTex纳米片CV曲线表明，直接阴离子Te取代可以降低转化反应的势垒，从而提高动力学和氧化还原的可逆性。

CV曲线上位于0.41V、市场数1.42V、1.72V和1.96V的4个明显氧化峰，以及0.87V和0.98V的两个还原峰能够被很好的区别。此外，冷用例参CuS1-xTex纳米片对硬电荷加载有良好的耐受性，即使在1000mAg−1的高电流密度下，也可以达到100mAhg−1的高容量。户峰高Te含量(x=0.22或0.23)的CuS1-xTex纳米片也表现出了良好的储镁性能。

然而，广东谷比镁二次电池的实际发展仍面临很多困难，主要限制因素包括可适用的正极材料以及具有化学相容性的电解质的缺乏。典型的CV曲线除了第一个循环外均可保持相似的轮廓，调整的蓄表明在Mg(HMDS)2-AlCl3/乙二醇二甲醚(GDME)电解质体系中CuS1-xTex阴极具有良好的化学可逆性。

X射线吸收精细结构分析表明，直接Te掺杂剂占据了硫的阴离子位点，从而提高了铜元素的氧化态。

此外，市场数新产生MgS相进一步证明了CuS基阴极材料发生了转化反应。此外，冷用例参他们还在考虑将MicroLED的应用扩展到小型显示屏，如广告标牌和智能手表等。

经查询发现，户峰MicroLED相比于LCD可以实现更高的亮度、色彩饱和度、色彩还原力、响应速度等，而且是自发光，因此更省电。此外，广东谷比MicroLED中使用的RGB器件是无机材料，因此没有老化和烧屏问题，并且可以带来10万小时以上的稳定高亮度和画质。

据介绍，调整的蓄三星电子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，仅为一般100型高分辨率B2B产品中LED器件的10%。三星电子表示，直接他们计划从今年开始在全球推广MicroLED。